FOTODIODA OPARTA NA EPITAKSJALNYM FOSFORKU GALU O ZWIĘKSZONEJ WRAŻLIWOŚCI PRZY DŁUGOŚCI FALI 254 nm. (2020). Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska, 10(1), 36-39. https://doi.org/10.35784/iapgos.910