„Opracowanie i badanie parametrów W potencjalnie niestabilnych czwórników w oparciu o matematyczny model postaci W tranzystorów polowych w zakresie wysokich częstotliwości”, IAPGOS, t. 15, nr 3, s. 87–90, wrz. 2025, doi: 10.35784/iapgos.7071.