Opracowanie i badanie parametrów W potencjalnie niestabilnych czwórników w oparciu o matematyczny model postaci W tranzystorów polowych w zakresie wysokich częstotliwości. IAPGOS [Internet]. 30 wrzesień 2025 [cytowane 14 wrzesień 2026];15(3):87-90. Dostępne na: https://ph.pollub.pl/index.php/iapgos/article/view/7071