FOTODIODA OPARTA NA EPITAKSJALNYM FOSFORKU GALU O ZWIĘKSZONEJ WRAŻLIWOŚCI PRZY DŁUGOŚCI FALI 254 nm. IAPGOS [Internet]. 30 marzec 2020 [cytowane 15 wrzesień 2026];10(1):36-9. Dostępne na: https://ph.pollub.pl/index.php/iapgos/article/view/910