BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Open full text

PDF (English)
Opublikowane: maj 30, 2018
DOI: https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0715
Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC
Artykuły

Archiwum

2018

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

DOI

https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0715

Authors

Karol Fatyga

k.fatyga@pollub.pl

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych, Polska
Łukasz Kwaśny

l.kwasny@pollub.pl

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych, Polska
Bartłomiej Stefańczak

bartlomiej.stefanczak@pollub.edu.pl

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych, Polska

Abstrakt

W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT.

Słowa kluczowe:

IGBT, SiC, tranzystor, MOSFET, przekształtnik DC/DC

Bibliografia

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Fatyga, K., Kwaśny, Łukasz, & Stefańczak, B. (2018). BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET. Informatyka, Automatyka, Pomiary W Gospodarce I Ochronie Środowiska, 8(2), 68–71. https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0715