ŹRÓDŁA PROMIENIOWANIA W ZAKRESIE KRÓTKOFALOWYM NA PODSTAWIE HETEROWARSTW GRUP II-VI
Mikhail Slyotov
m.slyotov@chnu.edu.uaYuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute, Department of Optics, Publishing and Printing (Ukraina)
http://orcid.org/0000-0003-0037-3934
Alexey Slyotov
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute, Department of Electronics and Power Engineering (Ukraina)
http://orcid.org/0000-0002-2135-9544
Abstrakt
Pokazano, że możliwe jest uzyskanie heterogennych warstw selenku i siarczku cynku o modyfikacji heksagonalnej za pomocą metody izowalentnego podstawienia. Charakteryzują się one intensywną luminescencją, która powstaje w wyniku anihilacji związanych ekscytonów dla dominującego pasma α-ZnSe i rekombinacji na parach donor-akceptor w przypadku α-ZnS. Otrzymane promieniowanie pokrywa fioletowy zakres optyczny. Sprawność kwantowa promieniowania wynosi η = 10–12% dla α-ZnSe i η = 5–8% dla α-ZnS. Promieniowanie charakteryzuje się wysoką stabilnością temperaturową oraz powtarzalnością charakterystyk i parametrów.
Słowa kluczowe:
siarczek kadmu, selenek cynku, siarczek cynku, modyfikacja heksagonalna, mieszanie widma, fotoluminescencjaBibliografia
Berezovskii M. M., Makhnii V. P., Slyotov M. M.: Influence of an isovalent Cd impurity on photoluminescence of ZnSe crystals. Journal of Applied Spectroscopy 62(6)/1995, 1075–1079.
Google Scholar
Fistul V. I.: Doping impurity atoms in semiconductors (state and condition). Fiz.-Mat. Lit., Moscow 2004.
Google Scholar
Gorkavenko T. V., Zubkova S. M., Makara V. A., Rusina L. N.: Temperature dependence of the band structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe wurtzite-type semiconductor compounds. Semiconductors 41(8)/2007, 886–896.
Google Scholar
Gribkovskii V. P.: The theory of light absorption and emission in semiconductors. Nauka i Teknika, Minsk 1975.
Google Scholar
Khomyak V. V., Slyotov M. M., Shtepliuk I. I., Lashkarev G. V., Slyotov O. M., Marianchuk P. D., Kosolovskiy V. V.: Annealing effect on the near-band edge emission of ZnO. Journal of Physics and Chemistry of Solids 74/2013, 291–297.
Google Scholar
Koh Era, Langer D. W.: Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation. J. Luminescence 1-2/1970, 514–527.
Google Scholar
Makhniy V. P., Baranjuk V. Ye., Demich M. V., Melnik V. V., Malimon I. V., Slyotov M. M., Sobistchanskiy B. M., Stets E. V.: Isovalent substitution – a perspective methods of producing heterojunction optoelectronical devices. Proc. SPIE 4425, 2000, 272–276.
Google Scholar
Makhniy V. P., Slyotov M. M., Stets E. V., Tkachenko I. V., Gorley V. V., Horley P. P.: Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters. Thin Solid Films 450/2004, 222–225.
Google Scholar
Peter Y. Yu, Cardona M.: Fundamentals of semiconductors. Physics and materials properties. (4th Ed). Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 2010.
Google Scholar
Tamargo M.C.: II-VI Semiconductor Materials and their Application. Taylor & Francis, New York 2002.
Google Scholar
Autorzy
Mikhail Slyotovm.slyotov@chnu.edu.ua
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute, Department of Optics, Publishing and Printing Ukraina
http://orcid.org/0000-0003-0037-3934
Autorzy
Alexey SlyotovYuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute, Department of Electronics and Power Engineering Ukraina
http://orcid.org/0000-0002-2135-9544
Statystyki
Abstract views: 254PDF downloads: 113
Licencja
Utwór dostępny jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 4.0 Miedzynarodowe.
