ANALIZA METOD SEPARACJI WIDM OPTYCZNYCH DLA INDYWIDUALNYCH SKŁADNIKÓW
Viktor Makhniy
vpmakhniy@gmail.comYuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute (Ukraina)
http://orcid.org/0000-0002-7073-6860
Oksana Kinzerska
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute (Ukraina)
http://orcid.org/0000-0003-1722-1216
Illia Senko
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute (Ukraina)
http://orcid.org/0000-0002-4665-6879
Abstrakt
Przeprowadzono analizę porównawczą różnych metod dekompozycji szerokich pasm na poszczególne składniki. Pokazano, że najbardziej uniwersalne są metody spektroskopii modulacyjnej i bezpośrednie różnicowanie konwencjonalnych charakterystyk spektralnych, które w przeciwieństwie do powszechnie stosowanej metody Alentseva-Focka mają zastosowanie do widm dowolnego rodzaju (luminescencja, transmisja, absorpcja itp.). Cechy i możliwości bezpośredniej metody różnicowania są stosowane do identyfikacji struktury w widmach emisyjnych i transmisyjnych monokrystalicznych składników ZnSe <Al>.
Słowa kluczowe:
widma optyczne, metody separacji, luminescencja, transmisjaBibliografia
Emelianov A. M.: Differential method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors. Fizika i tehnika polyprovodnikov 44(9)/2010, 1170–1175.
Google Scholar
Fok M. V.: Decomposition of complex spectra into individual bands using the Alentsev method. Trydu FIAN SSUR. 59/1972, 3–24.
Google Scholar
Gavrilenko V. I., Grehov A. M., Korbytyak D. V., Litovchenko V. G.: Optical properties of semiconductors. Directory naykova dymka, Kiev 1987.
Google Scholar
Kardona M.: Modulation spectroscopy. Mir, Moscov 1972.
Google Scholar
Kopulov A. A., Pihtin A. I.: The effect of temperature on the optical absorption spectra of deep centers in semiconductors. Fizika tverdogo tela 16/1974, 1837–1842.
Google Scholar
Kopulov A. A., Pihtin A. I.: The shape of the absorption and luminescence spectra at deep centers in semiconductors (oxygen in gallium phosphide). Fizika i tehnika polyprovodnikov 8/1974, 2390–2403.
Google Scholar
Makhniy V. P.: Physics and chemistry of point defects in semiconductors. CHNU, Chernivtsi 2014.
Google Scholar
Makhniy V. P.: Principles and methods of modulation spectroscopy. Ruta, Chernivtsi 2001.
Google Scholar
Makniy V. P., Vakhnyak N. D., Kinzerska O. V., Senko I. M.: Luminescence of crystals ZnSe:Gd. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 21(1)/ 2018, 80–82.
Google Scholar
Patent 107292 UA, MPK C30B/2500 (20.16.01) C30B 31/00 Method of doping ZnSe crystals with rare earth elements. Makhniy V. P., Kinzerska O. V., Senko I. M, Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, 2015, 12805, stated 24.12.2015; posted 25.05.2016, Bul. No. 10, 2016.
Google Scholar
Vaksman Yu.F.: Luminescence of single crystals of zinc selenide and radiating structures based on them. Diss. of doc. phys. and math. science 1993.
Google Scholar
Autorzy
Viktor Makhniyvpmakhniy@gmail.com
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute Ukraina
http://orcid.org/0000-0002-7073-6860
Autorzy
Oksana KinzerskaYuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute Ukraina
http://orcid.org/0000-0003-1722-1216
Autorzy
Illia SenkoYuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Science Institute Ukraina
http://orcid.org/0000-0002-4665-6879
Statystyki
Abstract views: 188PDF downloads: 136
Licencja
Utwór dostępny jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 4.0 Miedzynarodowe.
