ELIPSOMETRYCZNY SYSTEM SPEKTROSKOPOWY DO SZYBKIEJ OCENY SKŁADU CIENKICH WARSTW Bi2Te3-XSeX

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Vladimir Kovalev

vladimirkovalev.inc@gmail.com

Saygid Uvaysov

uvaysov@yandex.ru

Marcin Bogucki

m.bogucki@pollub.pl

Abstrakt

W artykule najpierw dokonano analizy porównawczej obecnego stanu rozwoju elipsometrii spektroskopowej oraz określono główne ograniczenia typowe dla popularnych konfiguracji urządzeń pomiarowych. Zaproponowano oryginalne rozwiązanie techniczne pozwalające na stworzenie dwuźródłowego elipsometu spektroskopowego z przełączaniem ortogonalnych stanów polaryzacji. Układ pomiarowy zapewnia wysoką precyzję pomiarów parametrów elipsometrycznych Ψ i Δ w zakresie spektralnym 270–2200 nm i prędkości wyznaczonej przez charakterystyki źródeł impulsowych przy prostej konstrukcji elipsometru. Jako obiekty do badań eksperymentalnych potwierdzających wydajność i wysoką precyzję proponowanego elipsometu spektroskopowego, wykorzystano ćwierćfalowy przyrząd GaAs/ZnS dla lasera CO2 oraz płytki kalibracyjne SiO2 na krzemie. Właściwości optyczne warstw Bi2Te3-xSex zbadano w zakresie 270–1000 nm przy użyciu wielokątowego elipsometu spektroskopowego. Wykazano, że właściwości optyczne cienkich warstw Bi2Te3-xSex zmieniają się monotonicznie w zależności od stosunku zawartości selenu i telluru.

Słowa kluczowe:

cienkie warstwy, właściwości optyczne, spektroskopia, transformata Fouriera, elipsometria i polarymetria, optyka cienkowarstwowa, oprzyrządowanie, pomiary i metrologia

Bibliografia

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

ELIPSOMETRYCZNY SYSTEM SPEKTROSKOPOWY DO SZYBKIEJ OCENY SKŁADU CIENKICH WARSTW Bi2Te3-XSeX. (2021). Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska, 11(4), 67-74. https://doi.org/10.35784/iapgos.2855