ELIPSOMETRYCZNY SYSTEM SPEKTROSKOPOWY DO SZYBKIEJ OCENY SKŁADU CIENKICH WARSTW Bi2Te3-XSeX
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
Numer Tom 11 Nr 4 (2021)
-
CAŁKI OSOBLIWE W METODZIE ELEMENTÓW BRZEGOWYCH DLA RÓWNANIA HELMHOLTZA SFORMUŁOWANEGO W PRZESTRZENI CZĘSTOTLIWOŚCI
Tomasz Rymarczyk, Jan Sikora4-8
-
ZASTOSOWANIE PLATFORM THREAT INTELLIGENCE DO ZWIĘKSZENIA OCHRONY ZASOBÓW INFORMACJI PUBLICZNEJ
Bohdan Nikolaienko, Serhii Vasylenko9-13
-
TECHNOLOGIA POŚREDNIEGO UKRYWANIA INFORMACJI NA ZASADZIE MULTIADYCZNEJ
Volodymyr Barannik, Natalia Barannik, Oleksandr Slobodyanyuk14-17
-
WYBRANE ZASTOSOWANIA GŁĘBOKICH SIECI NEURONOWYCH W DIAGNOZIE ZMIAN SKÓRNYCH
Magdalena Michalska18-21
-
EFEKTYWNA METODA WYKRYWANIA LINII Z WYKORZYSTANIEM KONWOLUCYJNEGO FILTRU 2D
Paweł Kowalski, Piotr Tojza22-27
-
ZASTOSOWANIE METODY ANALIZY CZYNNIKOWEJ DO KONSTRUOWANIA FUNKCJI CELU OPTYMALIZACJI W PROBLEMACH TRANSPORTU MULTIMODALNEGO
Serhii Zabolotnii, Artem Honcharov, Sergii Mogilei28-31
-
DOKŁADNOŚĆ KOMUNIKACJI SATELITARNEJ W WYBRANYCH MOBILNYCH SMARTFONACH ANDROID
Przemysław Falkowski-Gilski32-37
-
KOMPENSACJA DYSPERSJI CHROMATYCZNEJ W ISTNIEJĄCYCH ŚWIATŁOWODOWYCH LINIACH TELEKOMUNIKACYJNYCH Z ROSNĄCYM ZAPOTRZEBOWANIEM PRZEPŁYWNOŚCI W SYSTEMACH DWDM
Tomasz Bobruk38-41
-
ŚWIATŁOWODOWE STRUKTURY BRAGGA O MONOTONICZNEJ CHARAKTERYSTYCE APODYZACJI
Jacek Klimek42-46
-
O POJEMNOŚCI OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W WARUNKACH CZĘŚCIOWEGO ZACIEMNIENIA
Mateusz Bartczak47-50
-
STEROWANIE CZTEROPRZEWODOWYM TRÓJPOZIOMOWYM PRZEKSZTAŁTNIKIEM AC/DC Z NIEZALEŻNĄ KONTROLĄ MOCY W KAŻDEJ Z FAZ
Bartłomiej Stefańczak51-54
-
METODA POMIARU I REDUKCJI ZABURZEŃ ELEKTROMAGNETYCZNYCH INDUKOWANYCH PRZEZ PRZEPIĘCIA ŁĄCZENIOWE W OBWODACH nN
Patryk Wąsik55-61
-
ZWIĘKSZENIE EFEKTYWNOŚCI KOSZTOWEJ PROWADZENIA BADAŃ IN VITRO POPRZEZ ZASTOSOWANIE TYTANU W URZĄDZENIU DO POMIARU PARAMETRÓW ELEKTRYCZNYCH KOMÓREK
Dawid Zarzeczny62-66
-
ELIPSOMETRYCZNY SYSTEM SPEKTROSKOPOWY DO SZYBKIEJ OCENY SKŁADU CIENKICH WARSTW Bi2Te3-XSeX
Vladimir Kovalev, Saygid Uvaysov, Marcin Bogucki67-74
-
WYKORZYSTANIE NISKOBUDŻETOWYCH CZUJNIKÓW STĘŻENIA CZĄSTECZEK W CELU POMIARU ZANIECZYSZCZEŃ POWSTAJĄCYCH W TRAKCIE PRACY DRUKAREK 3D
Jarosław Tatarczak75-77
Archiwum
-
Tom 13 Nr 4
2023-12-20 24
-
Tom 13 Nr 3
2023-09-30 25
-
Tom 13 Nr 2
2023-06-30 14
-
Tom 13 Nr 1
2023-03-31 12
-
Tom 12 Nr 4
2022-12-30 16
-
Tom 12 Nr 3
2022-09-30 15
-
Tom 12 Nr 2
2022-06-30 16
-
Tom 12 Nr 1
2022-03-31 9
-
Tom 11 Nr 4
2021-12-20 15
-
Tom 11 Nr 3
2021-09-30 10
-
Tom 11 Nr 2
2021-06-30 11
-
Tom 11 Nr 1
2021-03-31 14
-
Tom 10 Nr 4
2020-12-20 16
-
Tom 10 Nr 3
2020-09-30 22
-
Tom 10 Nr 2
2020-06-30 16
-
Tom 10 Nr 1
2020-03-30 19
-
Tom 9 Nr 4
2019-12-16 20
-
Tom 9 Nr 3
2019-09-26 20
-
Tom 9 Nr 2
2019-06-21 16
-
Tom 9 Nr 1
2019-03-03 13
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Authors
Abstrakt
W artykule najpierw dokonano analizy porównawczej obecnego stanu rozwoju elipsometrii spektroskopowej oraz określono główne ograniczenia typowe dla popularnych konfiguracji urządzeń pomiarowych. Zaproponowano oryginalne rozwiązanie techniczne pozwalające na stworzenie dwuźródłowego elipsometu spektroskopowego z przełączaniem ortogonalnych stanów polaryzacji. Układ pomiarowy zapewnia wysoką precyzję pomiarów parametrów elipsometrycznych Ψ i Δ w zakresie spektralnym 270–2200 nm i prędkości wyznaczonej przez charakterystyki źródeł impulsowych przy prostej konstrukcji elipsometru. Jako obiekty do badań eksperymentalnych potwierdzających wydajność i wysoką precyzję proponowanego elipsometu spektroskopowego, wykorzystano ćwierćfalowy przyrząd GaAs/ZnS dla lasera CO2 oraz płytki kalibracyjne SiO2 na krzemie. Właściwości optyczne warstw Bi2Te3-xSex zbadano w zakresie 270–1000 nm przy użyciu wielokątowego elipsometu spektroskopowego. Wykazano, że właściwości optyczne cienkich warstw Bi2Te3-xSex zmieniają się monotonicznie w zależności od stosunku zawartości selenu i telluru.
Słowa kluczowe:
Bibliografia
Acher O., Bigan E., Drévillon B.: Improvements of phase-modulated ellipsometry. Rev. Sci. Instrum. 60, 1989 [http://doi.org/10.1063/1.1140580].
Alonso M. I., Garriga M.: Optical properties of semiconductors. Springer International Publishing Vol. 212, 2018.
Aspnes D. E.: Spectroscopic ellipsometry — Past, present, and future. Thin Solid Films 571, 2014, 334–344 [http://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.03.056].
Azzam R. M. A.: Photopolarimetric measurement of the Mueller matrix by Fourier analysis of a single detected signal. Opt. Lett. 2, 1978, [http://doi.org/10.1364/ol.2.000148].
Collins R. W., Koh J.: Dual rotating-compensator multichannel ellipsometer: instrument design for real-time Mueller matrix spectroscopy of surfaces and films. Journal of the Optical Society of America A 16, 1999, 1997 [http://doi.org/10.1364/JOSAA.16.001997].
Fujiwara H.: Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications. John Wiley and Sons, 2007.
Furchner A., Walder C., Zellmeier M., Rappich J., Hinrichs K.: Broadband infrared Mueller-matrix ellipsometry for studies of structured surfaces and thin films. Appl. Opt. 57, 2018, 7895 [http://doi.org/10.1364/AO.57.007895].
Garcia-Caurel E., de Martino A., Drévillon B.: Spectroscopic Mueller polarimeter based on liquid crystal devices. Thin Solid Films 455–456, 2004, 120–123 [http://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.12.056].
Garcia-Caurel E., de Martino A., Gaston J.-P., Yan L.: Application of Spectroscopic Ellipsometry and Mueller Ellipsometry to Optical Characterization. Applied Spectroscopy 67, 2013, 1–21 [http://doi.org/10.1366/12-06883].
Hinrichs K., Eichhorn K. J., Ertl G., Mills D. L., Lüth H.: Ellipsometry of Functional Organic Surfaces and Films. Springer Series in Surface Sciences Vol. 52, Berlin, Heidelberg, 2014.
Kovalev V. I., Rukovishnikov A. I., Kovalev S. V., Kovalev V. V., Rossukanyi N. M.: An achromatic four-mirror compensator for spectral ellipsometers. Opt. Spectrosc. 123, 2017 [http://doi.org/10.1134/S0030400X1707013X].
Kovalev V. I., Rukovishnikov A. I., Kovalev S. V., Kovalev V. V.: An LED multichannel spectral ellipsometer with binary modulation of the polarization state. Instruments and Experimental Techniques 57, 2014 [http://doi.org/10.1134/S002044121405008X].
Kovalev V. I., Rukovishnikov A. I., Kovalev S. V., Kovalev V. V.: LED broadband spectral ellipsometer with switching of orthogonal polarization states. J. Opt. Technol. 2016, 83, 181 [http://doi.org/10.1364/JOT.83.000181.
Kovalev V. V., Kuznetsov P. I., Yakushcheva G. G., Yapaskurt O. V., Kovalev V. I., Rukovishnikov A. I., Kovalev S. V.: MOVPE deposition and optical properties of thin films of a Bi2Te3-xSex topological insulator. J. Phys. Conf. Ser. 1199, 2019, 012038 [http://doi.org/10.1088/1742-6596/1199/1/012038].
Kovalev, V.I., Rukovishnikov, A.I., Rossukanyi, N.M., Kovalev, S. V., Kovalev, V. V., Amelichev, V. V., Kostyuk, D. V., Vasil’ev, D. V., Orlov, E. P. LED magneto-optical ellipsometer with the switching of orthogonal polarization states. Instruments and Experimental Techniques 59, 2016, 707–711 [http://doi.org/10.1134/S0020441216040084].
Kroning A., Furchner A., Aulich D., Bittrich E., Rauch S., Uhlmann P., Eichhorn K. J., Seeber M., Luzinov I., Kilbey S. M., et al.: In Situ Infrared Ellipsometry for Protein Adsorption Studies on Ultrathin Smart Polymer Brushes in Aqueous Environment. ACS Appl. Mater. Interfaces 7, 2015, 12430–12439 [http://doi.org/10.1021/am5075997].
Li K., Wang S., Wang L., Yu H., Jing N., Xue R., Wang Z.: Fast and Sensitive Ellipsometry-Based Biosensing. Sensors 18, 2017, 15 [http://doi.org/10.3390/s18010015].
Losurdo M., Bergmair M., Bruno G., Cattelan D., Cobet C., de Martino A., Fleischer K., Dohcevic-Mitrovic Z., Esser N., Galliet M., et al.: Spectroscopic ellipsometry and polarimetry for materials and systems analysis at the nanometer scale: State-of-the-art, potential, and perspectives. J. Nanoparticle 11, 2009, 1521–1554 [http://doi.org/10.1007/s11051-009-9662-6].
de Martino A., Kim Y.-K., Garcia-Caurel E., Laude B., Drévillon B.: Optimized Mueller polarimeter with liquid crystals. Opt. Lett. 28, 2003, 616 [http://doi.org/10.1364/OL.28.000616].
Schmidtling T., Pohl U. W., Richter W., Peters S.: In situ spectroscopic ellipsometry study of GaN nucleation layer growth and annealing on sapphire in metal-organic vapor-phase epitaxy. J. Appl. Phys. 98, 2005, [http://doi.org/10.1063/1.1999033].
Tompkins H. G., Irene E. A.: Handbook of Ellipsometry. William Andrew Publishing, 2005.
Yim C., O’Brien M., McEvoy N., Winters S., Mirza I., Lunney J. G., Duesberg G. S.: Investigation of the optical properties of MoS2 thin films using spectroscopic ellipsometry. Applied Physics Letters 104, 2014 [http://doi.org/10.1063/1.4868108].
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Abstract views: 649
Downloads: 391
Licencja

Utwór dostępny jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 4.0 Miedzynarodowe.
