ANALIZA PRZECIWRÓWNOLEGŁEGO OBWODU MEMRYSTOROWEGO
Valeri Mladenov
valerim@tu-sofia.bgTechnical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering (Bułgaria)
Stoyan Kirilov
Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering (Bułgaria)
Abstrakt
Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.
Słowa kluczowe:
memrystor, przeciwrównoległy obwód memrystorowy, metoda różnic skończonych, rezystancja równoważnaBibliografia
Ascoli A., Corinto F., Tetzlaff R.: Generalized Boundary Condition Memristor Model. Int. J. Circ. Theor. Appl. 44/2016, 60–84.
Google Scholar
Brandisky K., Georgiev Z., Mladenov V., Stancheva R.: Theoretical Electrical Engineering – Part 1 & 2, KING Publishing House, Sofia 2005.
Google Scholar
Chua L.O.: Memristor – The Missing Circuit Element. IEEE Trans. on Circuit Theory CT-18/1971, 507–519.
Google Scholar
Corinto F., Ascoli A.: A Boundary Condition-Based Approach to the Modelling of Memristor Nanostructures. IEEE Transactions on Circuits and Systems - I, Regular Papers 59(11)/2012, 2713–2726.
Google Scholar
Hristov M., Vassileva T., Manolov M.: Semiconductor elements. New knowledge Publishing House, Sofia 2007.
Google Scholar
MATLAB – Version 7.12.0.635 (R2011a) User’s Guide. The MathWorks, Inc.
Google Scholar
Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S.: The missing memristor found. Nature 453(06932)/2008, 80–83.
Google Scholar
Walsh A., Carley R., Feely O., Ascoli A: Memristor circuit investigation through a new tutorial toolbox. European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD) – Germany, 2013, 1–4.
Google Scholar
Autorzy
Valeri Mladenovvalerim@tu-sofia.bg
Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering Bułgaria
Autorzy
Stoyan KirilovTechnical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering Bułgaria
Statystyki
Abstract views: 172PDF downloads: 113
Licencja
Utwór dostępny jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 4.0 Miedzynarodowe.
Inne teksty tego samego autora
- Valeri Mladenov, Stoyan Kirilov, ZAAWANSOWANY MODEL MEMRYSTORA ZE MODYFIKOWANYM OKNEM BIOLEK ORAZ EKSPONENTĄ ZALEŻNĄ OD NAPIĘCIA , Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska: Tom 8 Nr 2 (2018)
