ZAAWANSOWANY MODEL MEMRYSTORA ZE MODYFIKOWANYM OKNEM BIOLEK ORAZ EKSPONENTĄ ZALEŻNĄ OD NAPIĘCIA
Valeri Mladenov
valerim@tu-sofia.bgTechnical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering (Bułgaria)
Stoyan Kirilov
Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering (Bułgaria)
Abstrakt
Główną ideą niniejszej pracy jest zaproponowanie nowego modelu nieliniowego dryfu jonowego, odpowiedniego do komputerowych symulacji elementów memrystorowych dla różnych napięć. W tym celu stosowana jest zmodyfikowana funkcja okna Biolek z wykładnikiem zależnym od napięcia. Zaproponowany zmodyfikowany model memrystora oparty jest na modelu Biolek i dzięki temu oraz zastosowaniu zależnego od napięcia dodatniego współczynnika całkowitego w zmodyfikowanej funkcji okna Biolek ma on nową ulepszoną właściwość - zmieniając nieliniową zależność modelu od wykładnika całkowitego zgodnie z napięciem memrystora. Przeprowadzono kilka symulacji komputerowych dla trybów przełączania miękkiego i twardego, a także dla pseudo-sinusoidalnego napięcia przemiennego z wykładniczo rosnącą amplitudą i ustalono odpowiednie podstawowe wykresy czasowe, i zależności stan-strumień oraz prądowo-napięciowe.
Słowa kluczowe:
memrystor, nieliniowy dryft domieszki jonowej, zmodyfikowana funkcja okna Biolek, wykładnik zależny od napięciaBibliografia
Ascoli A., Corinto F., Senger V., Tetzlaff R.: Memristor Model Comparison. IEEE Circuits and Systems Magazine 2013, 89–105.
Google Scholar
Ascoli A., Corinto F., Tetzlaff R.: Generalized Boundary Condition Memristor Model. Int. J. Circ. Theor. Appl. 44/2016, 60–84.
Google Scholar
Biolek Z., Biolek D., Biolkova V.: SPICE Model of Memristor with Nonlinear Dopant Drift. Radioengineering 18/2009, 210–214.
Google Scholar
Brandisky K., Georgiev Z., Mladenov V., Stancheva R.: Theoretical Electrical Engineering–Part 1 & 2. KING Publishing house, Sofia 2005.
Google Scholar
Chua L.: Memristor–The Missing Circuit Element. IEEE Transactions on Circuit Theory 18(5)/1971, 507–519.
Google Scholar
Corinto F., Ascoli A.: A Boundary Condition-Based Approach to the Modelling of Memristor Nanostructures. IEEE Transactions on Circuits and Systems - I, Regular Papers 59(11)/2012, 2713–2726.
Google Scholar
Hristov M., Vassileva T., Manolov E.: Semiconductor elements. New knowledge, Sofia 2007.
Google Scholar
MATLAB–7.12.0.635(R2011a) User’s Guide. The MathWorks, Inc.
Google Scholar
Strukov D. B., Snider G. S., Stewart D. R., Williams R. S.: The missing memristor found. Nature 453(06932)/2008, 80–83.
Google Scholar
Walsh A., Carley R., Feely O., Ascoli A.: Memristor circuit investigation through a new tutorial toolbox. ECCTD 2013, 1–4.
Google Scholar
Autorzy
Valeri Mladenovvalerim@tu-sofia.bg
Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering Bułgaria
Autorzy
Stoyan KirilovTechnical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering Bułgaria
Statystyki
Abstract views: 241PDF downloads: 148
Licencja
Utwór dostępny jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 4.0 Miedzynarodowe.
Inne teksty tego samego autora
- Valeri Mladenov, Stoyan Kirilov, ANALIZA PRZECIWRÓWNOLEGŁEGO OBWODU MEMRYSTOROWEGO , Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska: Tom 8 Nr 2 (2018)
