FRAKTALE W PROJEKTOWANIU KONDENSATORÓW Z POPRZECZNĄ POJEMNOŚCIĄ – WYNIKI POMIARÓW
Piotr Kocanda
pkocanda@agh.edu.plAGH University of Science and Technology (Polska)
Andrzej Kos
AGH University of Science and Technology (Polska)
Adam Gołda
AGH University of Science and Technology (Polska)
Abstrakt
W porównaniu do klasycznych kondensatorów z równoległymi okładkami użycie struktur z poprzeczną pojemnością pozwala na zwiększenie gęstości pojemności przy projektowaniu kondensatorów w technologiach CMOS. Kondensatory z poprzeczną pojemnością zostały zaprojektowane na bazie trzech rożnych fraktali. Struktury kondensatorów zostały zaprojektowane z i bez użycia specjalnej warstwy metalu MMC, dostępnej w niektórych technologiach CMOS, do projektowania kondensatorów. Do sprawdzenia teoretycznych rozważań specjalny układ ASIC został zaprojektowany i wykonany w technologii UMC 0.18um. Przedstawione wyniki są efektem pomiarów 5 układów scalonych. Niektóre struktury kondensatorów mają dużo większą gęstość pojemności niż klasyczne kondensatory bez warstwy MMC. Niewiele zaprojektowanych struktur ma większą gęstość pojemności niż kondensatory klasyczne z warstwą MMC. Rozrzut parametrów kondensatorów jest niewielki.
Słowa kluczowe:
Kondensatory, układy scalone CMOS, fraktaleBibliografia
Akcasu O.E.: High capacitance structures in a semiconductor device, U.S. Patent 5,208,725,1993.
Google Scholar
Aparicio R., Hajimiri A.: Capacity Limits and Matching Properties of Lateral Flux Integrated Capacitors, IEEE Conference on Custom Integrated Circuits, San Diego, USA, 2001, 365-368.
Google Scholar
Calvo B., Celma S., Gimeno C., Revuelto J.: Hilbert Curve Based Lateral Flux Capacitors, Proceedings of the 2009 Spanish Conference on Electron Devices, Santiago de Compostela (Spain).
Google Scholar
Chaw-Sing H., Chit H.N., Shao-Fu C, Shi-Chung S.: MIM Capacitor Integration for Mixed-Signal/RF Applications. IEEE Transactions on electron devices, vol. 52, no.7, 2005, 1399-1409.
Google Scholar
Gołda A., Kocanda P., Kos A.: Fractal geometries in lateral flux capacitor design. Proceedings of 2nd International Interdisciplinary PhD Workshop. Brno, Czech Republic, 2013, 90-94.
Google Scholar
Hajimiri A., Lee T. H., Nasserbakht G. N., Shahani A. R., Samavati H., Fractal capacitors, IEEE Journal of solid-state circuits, vol. 33, no. 12, 1998.
Google Scholar
Autorzy
Andrzej KosAGH University of Science and Technology Polska
Autorzy
Adam GołdaAGH University of Science and Technology Polska
Statystyki
Abstract views: 166PDF downloads: 66
Licencja
Utwór dostępny jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa – Na tych samych warunkach 4.0 Miedzynarodowe.
Inne teksty tego samego autora
- Maciej Frankiewicz, Adam Gołda, Andrzej Kos, ANALIZA I WERYFIKACJA PARAMETRÓW TERMICZNYCH UKŁADU SCALONEGO , Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska: Tom 4 Nr 4 (2014)
