BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET

Karol Fatyga

k.fatyga@pollub.pl
Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych (Polska)

Łukasz Kwaśny


Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych (Polska)

Bartłomiej Stefańczak


Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych (Polska)

Abstrakt

W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT.


Słowa kluczowe:

IGBT, SiC, tranzystor, MOSFET, przekształtnik DC/DC

Barlik R., Nowak M., Grzejszczak P.: Power transfer analysis in a single phase dual active bridge. Bulletin of the Polish Academy of Sciences, Technical Sciences 61(4), 809–828.
  Google Scholar

Dobrzański D.: Overview and characteristics of the EV fast charging connector systems. Maszyny Elektryczne: Zeszyty problemowe 3/2017, 91–96.
  Google Scholar

Fatyga K., Mroczek B.: Charakterystyki pracy dwukierunkowej przetwornicy DC/DC do pojazdów elektrycznych i architektura jej komunikacji w systemie operatora sieci elektroenergetycznej. Maszyny Elektryczne: Zeszyty problemowe 3/2017 83-89.
  Google Scholar

Inoue S., Akagi H.: A bi-directional isolated DC/DC converter as a core circuit of the next-generation medium-voltage power conversion system. 37th IEEE Power Electronics Specialists Conference – Jeju, 2006, 1–7.
  Google Scholar

Zdanowski M., Rąbkowski J., Barlik R.: Design issues of the high-frequency interleaved DC/DC boost converter with Silicon Carbide MOSFETs. 16th European Conference on Power Electronics and Applications, 2014.
  Google Scholar

Zhao B., Song Q., Liu W., Sun Y.: Overview of Dual-Active-Bridge Isolated Bidirectional DC–DC Converter for High-Frequency-Link Power-Conversion System. IEEE Transactions on Power Electronics 29(8), 4091–4106.
  Google Scholar

Zieliński D., Tokovarov M.: Simulation and comparison of selected fast charger topologies. Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska – IAPGOŚ 3/2017, 23-28.
  Google Scholar


Opublikowane
2018-05-30

Cited By / Share

Fatyga, K., Kwaśny, Łukasz, & Stefańczak, B. (2018). BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET. Informatyka, Automatyka, Pomiary W Gospodarce I Ochronie Środowiska, 8(2), 68–71. https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0715

Autorzy

Karol Fatyga 
k.fatyga@pollub.pl
Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych Polska

Autorzy

Łukasz Kwaśny 

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych Polska

Autorzy

Bartłomiej Stefańczak 

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych Polska

Statystyki

Abstract views: 222
PDF downloads: 142