ANALIZA PRZECIWRÓWNOLEGŁEGO OBWODU MEMRYSTOROWEGO

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (angielski)
Opublikowane: 2018-05-30
DOI: https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0696
Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC

Archiwum

2018

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Authors

Valeri Mladenov

valerim@tu-sofia.bg

Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering
Stoyan Kirilov

s_kirilov@tu-sofia.bg

Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering

Abstrakt

Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.

Słowa kluczowe:

memrystor, przeciwrównoległy obwód memrystorowy, metoda różnic skończonych, rezystancja równoważna

Bibliografia

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

ANALIZA PRZECIWRÓWNOLEGŁEGO OBWODU MEMRYSTOROWEGO . (2018). Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska, 8(2), 9-14. https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0696