BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (angielski)
Opublikowane: 2018-05-30
DOI: https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0715
Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC

Archiwum

2018

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Authors

Karol Fatyga

k.fatyga@pollub.pl

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych
Łukasz Kwaśny

l.kwasny@pollub.pl

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych
Bartłomiej Stefańczak

bartlomiej.stefanczak@pollub.edu.pl

Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i informatyki, Katedra Maszyn i Napędów Elektrycznych

Abstrakt

W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT.

Słowa kluczowe:

IGBT, SiC, tranzystor, MOSFET, przekształtnik DC/DC

Bibliografia

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

BADANIA PORÓWNAWCZE SPRAWNOŚCI UKŁADÓW DC/DC Z TRANZYSTORAMI SI IGBT ORAZ TRANZYSTORAMI SIC TYPU MOSFET. (2018). Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska, 8(2), 68-71. https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.0715